Справочник MOSFET. HGN088N15S

 

HGN088N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN088N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 333 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN088N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN088N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1189K  cn hunteck
 hgn088n15s.pdf pdf_icon

HGN088N15S

HGN088N15SP-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching 7.9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 86 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Ha

 0.1. Size:951K  cn hunteck
 hgn088n15sl.pdf pdf_icon

HGN088N15S

HGN088N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness87 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification i

 9.1. Size:920K  cn hunteck
 hgn080n10sl.pdf pdf_icon

HGN088N15S

HGN080N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability7.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness74 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Re

 9.2. Size:893K  cn hunteck
 hgn080n10al.pdf pdf_icon

HGN088N15S

HGN080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness74.4 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGN070N12S , HGN070N12SL , HGN077N10SL , HGN080N08SL , HGN080N10A , HGN080N10AL , HGN080N10S , HGN080N10SL , IRFP260N , HGN088N15SL , HGN090AE6AL , HGN090N06SL , HGN090NE6A , HGN090NE6AL , HGN093N12S , HGN093N12SL , HGN095NE4SL .

History: DMP1009UFDF | 8N65KL-TF2-T | SEFM350 | PE614DX | PTA26N60 | BL20N65-P | H2302A

 

 
Back to Top

 


 
.