Справочник MOSFET. SP2103

 

SP2103 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP2103
   Маркировка: 2103
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для SP2103

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP2103 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  samhop
 sp2103.pdf pdf_icon

SP2103

GreenProductSP2103aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.220 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 2.2A350 @ VGS=4.5VD1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless

 9.1. Size:119K  samhop
 sp2102.pdf pdf_icon

SP2103

GreenProductSP2102aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.100V 2.0A 216 @ VGS=10VSuface Mount Package.D1 D1 D2 D2DFN 3x3PIN1S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)

 9.2. Size:111K  samhop
 sp2107.pdf pdf_icon

SP2103

GreenProductSP2107aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.0.8 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A0.93 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26 3D2 S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5x6A

 9.3. Size:110K  samhop
 sp2106.pdf pdf_icon

SP2103

GreenProductSP2106aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.2.0 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1A2.4 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26 3D2 S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5x6ABSO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: G22 | MEM2302X

 

 
Back to Top

 


 
.