HGP050N10AL - аналоги и даташиты транзистора

 

HGP050N10AL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGP050N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 562 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP050N10AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP050N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:985K  cn hunteck
 hgp050n10al.pdf pdf_icon

HGP050N10AL

HGP050N10ALP-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 4.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 125 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

 4.1. Size:975K  cn hunteck
 hgb050n10a hgp050n10a.pdf pdf_icon

HGP050N10AL

, P-1HGB050N10A HGP050N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 4.5RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 4.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness125 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSTO-220TO-263 Hard Switching and Hig

 6.1. Size:851K  cn hunteck
 hgb050n14s hgp050n14s.pdf pdf_icon

HGP050N10AL

,HGB050N14S HGP050N14S P-1135V N-Ch Power MOSFETFeature135 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.5RDS(on),TYP m Enhanced Body diode dv/dt capability175 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness180 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching a

 9.1. Size:919K  cn hunteck
 hgb059n08a hgp059n08a.pdf pdf_icon

HGP050N10AL

, P-1HGB059N08AHGP059N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 4.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 5.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness97 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGN480N15M , HGN640N25S , HGN650N15S , HGN650N15SL , HGP028NE6AL , HGP035N08AL , HGP042N10AL , HGP045NE4SL , STF13NM60N , HGP070N12SL , HGP080N10S , HGP080N10SL , HGP098N10S , HGP100N12SL , HGP130N12SL , HGP190N15SL , HGP195N15SL .

History: SQD25N15-52 | IRFPC48 | OSG55R290PF | HGP130N12SL | 2SK3480 | AP6P070P | CSD9024

 

 
Back to Top

 


 
.