HGP100N12SL - аналоги и даташиты транзистора

 

HGP100N12SL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGP100N12SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 109 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 242 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP100N12SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP100N12SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:802K  cn hunteck
 hgp100n12sl.pdf pdf_icon

HGP100N12SL

HGP100N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness109 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchin

 4.1. Size:813K  cn hunteck
 hgb100n12s hgp100n12s.pdf pdf_icon

HGP100N12SL

,HGB100N12S HGP100N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 8.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 8.6RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness109 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 9.1. Size:979K  cn hunteck
 hgb105n15s hgp105n15s.pdf pdf_icon

HGP100N12SL

,HGB105N15S HGP105N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 9.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness104 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS

 9.2. Size:872K  cn hunteck
 hgb105n15m hgk105n15m hgp105n15m.pdf pdf_icon

HGP100N12SL

, P-1HGB105N15M HGK105N15MHGP105N15M150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 8.5RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 8.8RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGP035N08AL , HGP042N10AL , HGP045NE4SL , HGP050N10AL , HGP070N12SL , HGP080N10S , HGP080N10SL , HGP098N10S , IRF2807 , HGP130N12SL , HGP190N15SL , HGP195N15SL , HGP1K2N20ML , HGP1K2N25ML , HGP230N10A , HGP2K4N25ML , HGS038NE4SL .

History: NCEP080N10A | CJP04N60 | IXFT50N60X | STP11NM60A | HUFA75332S3S | NCE6065AG | STP110N55F6

 

 
Back to Top

 


 
.