HGP100N12SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGP100N12SL
Маркировка: GP100N12SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 109 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 66 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 242 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HGP100N12SL
HGP100N12SL Datasheet (PDF)
hgp100n12sl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGP100N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness109 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchin
hgb100n12s hgp100n12s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
,HGB100N12S HGP100N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 8.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 8.6RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness109 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching
hgb105n15s hgp105n15s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
,HGB105N15S HGP105N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 9.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness104 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS
hgb105n15m hgk105n15m hgp105n15m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
, P-1HGB105N15M HGK105N15MHGP105N15M150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 8.5RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 8.8RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synch
hgb105n15sl hgp105n15sl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGB105N15SL HGP105N15SL, P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic LevelTO-263 8.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 9RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness122 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synch
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .