Справочник MOSFET. HGP190N15SL

 

HGP190N15SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGP190N15SL
   Маркировка: P190N15SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 69 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
   Время нарастания (tr): 4 ns
   Выходная емкость (Cd): 158 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для HGP190N15SL

 

 

HGP190N15SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:774K  cn hunteck
hgp190n15sl.pdf

HGP190N15SL
HGP190N15SL

HGP190N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeature16.0RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 19RDS(on),typ VGS=4.5V mswitching,Logic level 69 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg TestedApplication DC-DC Conversion Drain Hard Switching and H

 4.1. Size:813K  cn hunteck
hgb190n15s hgp190n15s.pdf

HGP190N15SL
HGP190N15SL

HGB190N15S HGP190N15S P-1,150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeatureTO-263 15.7RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switchingTO-220 16RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability80 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication

 9.1. Size:909K  cn hunteck
hgp195n15sl.pdf

HGP190N15SL
HGP190N15SL

P-1HGP195N15SL150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level17.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness53 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrai

 9.2. Size:984K  cn hunteck
hgb195n15s hgp195n15s.pdf

HGP190N15SL
HGP190N15SL

, P-1HGB195N15SHGP195N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 16.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 16.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness59 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top