Справочник MOSFET. HGP190N15SL

 

HGP190N15SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGP190N15SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP190N15SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP190N15SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:774K  cn hunteck
hgp190n15sl.pdfpdf_icon

HGP190N15SL

HGP190N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeature16.0RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 19RDS(on),typ VGS=4.5V mswitching,Logic level 69 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg TestedApplication DC-DC Conversion Drain Hard Switching and H

 4.1. Size:813K  cn hunteck
hgb190n15s hgp190n15s.pdfpdf_icon

HGP190N15SL

HGB190N15S HGP190N15S P-1,150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeatureTO-263 15.7RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switchingTO-220 16RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability80 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication

 9.1. Size:909K  cn hunteck
hgp195n15sl.pdfpdf_icon

HGP190N15SL

P-1HGP195N15SL150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level17.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness53 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrai

 9.2. Size:984K  cn hunteck
hgb195n15s hgp195n15s.pdfpdf_icon

HGP190N15SL

, P-1HGB195N15SHGP195N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 16.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 16.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness59 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

Другие MOSFET... HGP045NE4SL , HGP050N10AL , HGP070N12SL , HGP080N10S , HGP080N10SL , HGP098N10S , HGP100N12SL , HGP130N12SL , 7N60 , HGP195N15SL , HGP1K2N20ML , HGP1K2N25ML , HGP230N10A , HGP2K4N25ML , HGS038NE4SL , HGS046NE6A , HGS046NE6AL .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.