Справочник MOSFET. HTM040N03

 

HTM040N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTM040N03
   Маркировка: TM040N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 378 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для HTM040N03

 

 

HTM040N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:963K  cn hunteck
 htm040n03.pdf

HTM040N03 HTM040N03

HTM040N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness32 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number Pa

 0.1. Size:1236K  cn hunteck
 htm040n03p.pdf

HTM040N03 HTM040N03

HTM040N03P P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness4.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested71 AID Lead FreeApplication Hard Switching and High Speed CircuitDrainDFN3.3x3.3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number P

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top