HTM040N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTM040N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 378 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для HTM040N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM040N03 даташит

 ..1. Size:963K  cn hunteck
 htm040n03.pdf pdf_icon

HTM040N03

HTM040N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 3.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 32 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3x3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Number Pa

 0.1. Size:1236K  cn hunteck
 htm040n03p.pdf pdf_icon

HTM040N03

HTM040N03P P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 3.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 4.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 71 A ID Lead Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3.3x3.3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Number P

Другие IGBT... HTJ450N02, HTJ500N03, HTJ500P03, HTJ600N06, HTJ650P02, HTJ850P03, HTL140N02, HTM035N03, IRF1405, HTM040N03P, HTM058N03P, HTM060N03, HTM063P02, HTM095P02, HTM105P03P, HTM120N03, HTM120N03P