HTM040N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HTM040N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 378 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для HTM040N03
HTM040N03 Datasheet (PDF)
htm040n03.pdf
HTM040N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness32 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number Pa
htm040n03p.pdf
HTM040N03P P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness4.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested71 AID Lead FreeApplication Hard Switching and High Speed CircuitDrainDFN3.3x3.3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number P
Другие MOSFET... HTJ450N02 , HTJ500N03 , HTJ500P03 , HTJ600N06 , HTJ650P02 , HTJ850P03 , HTL140N02 , HTM035N03 , IRF1405 , HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , HTM105P03P , HTM120N03 , HTM120N03P .
History: IRF9Z24L
History: IRF9Z24L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM425MC | AGM425MA | AGM425M | AGM420MD | AGM420MC | AGM420MBA | AGM420MAP | AGM420MA | AGM418MBP | AGM418M | AGM414MBP | AGM412S | AGM412MPA | AGM412MAP | AGM412D | AGM608C
Popular searches
2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement



