HTN036N03P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HTN036N03P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HTN036N03P Datasheet (PDF)
htn036n03p.pdf

HTN036N03P P-130V N-Ch Power MOSFET30 VFeature VDS3.6 Optimized for high speed switching, Logic Level RDS(on),max VGS=10V mW5.4RDS(on),max VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability70 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switchi
htn036p03.pdf

HTN036P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness4.6RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-80 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Hard Switching and High Speed CircuitDFN5x6 DC/DC in Telecoms and Indu
htn035n04p.pdf

HTN035N04P P-140V N-Ch Power MOSFET40 VFeature VDS3.2 Optimized for high speed switching RDS(on),typ VGS=10V mW7.4RDS(on),typ VGS=6V mW Enhanced Body diode dv/dt capability95 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Swi
htn030n03.pdf

HTN030N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level2.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness75 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialDFN5x6GateSrcPart Number Pa
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IXFC80N10 | FDW254P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210