FDY102PZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDY102PZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.83 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.2 nC
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: SOT523F
Аналог (замена) для FDY102PZ
FDY102PZ Datasheet (PDF)
fdy102pz.pdf

February 2010FDY102PZtmSingle P-Channel (1.5 V) Specified PowerTrench MOSFET20 V, 0.83 A, 0.5 Features General Description Max rDS(on) = 0.5 at VGS = 4.5 V, ID = 0.83 AThis Single P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 0.7 at VGS = 2.5 V, ID = 0.70 Aoptimize the rDS(on)@
fdy100pz.pdf

January 2006 FDY100PZ Single P-Channel ( 2.5V) Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This Single P-Channel MOSFET has been designed 350 mA, 20 V RDS(ON) = 1.2 @ VGS = 4.5 V using Fairchild Semiconductors advanced Power RDS(ON) = 1.6 @ VGS = 2.5 V Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v. A
fdy101pz.pdf

January 2006FDY101PZ Single P-Channel ( 2.5V) Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This Single P-Channel MOSFET has been designed 150 mA, 20 V RDS(ON) = 8 @ VGS = 4.5 V using Fairchild Semiconductors advanced PowerRDS(ON) = 12 @ VGS = 2.5 V Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v. Applications ESD pro
fdy1002pz.pdf

October 2008FDY1002PZDual P-Channel (1.5 V) Specified PowerTrench MOSFET20 V, 0.83 A, 0.5 Features General Description Max rDS(on) = 0.5 at VGS = 4.5 V, ID = 0.83 AThis Dual P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 0.7 at VGS = 2.5 V, ID = 0.70 Aoptimize the rDS(on)@VG
Другие MOSFET... FDT86244 , FDT86246 , FDU3N40 , SDT03N04 , FDV305N , FDY1002PZ , FDY100PZ , FDY101PZ , STP75NF75 , FDY2000PZ , FDY3000NZ , FDY300NZ , FDY301NZ , FDY302NZ , FDY4000CZ , SDT02N02 , FDZ1905PZ .
History: HCW60R190 | APT6013JVR | SML801R4AN | FDY101PZ | PHP12N10E | FRK264D
History: HCW60R190 | APT6013JVR | SML801R4AN | FDY101PZ | PHP12N10E | FRK264D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
Popular searches
cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet