NCE0157AK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE0157AK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NCE0157AK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0157AK даташит

 ..1. Size:436K  ncepower
 nce0157ak.pdf pdf_icon

NCE0157AK

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0157AK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

 6.1. Size:631K  ncepower
 nce0157a2d.pdf pdf_icon

NCE0157AK

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0157A2D NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157A2D uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V = 100V,I =57A DS D R

 6.2. Size:655K  ncepower
 nce0157a.pdf pdf_icon

NCE0157AK

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0157A2 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157A2 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V = 100V,I =57A DS D R

 6.3. Size:335K  ncepower
 nce0157a2.pdf pdf_icon

NCE0157AK

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0157A2 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157A2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE0117AK, NCE011N30GU, NCE0130GA, NCE0140AK2, NCE0140I2, NCE0140IA, NCE0157A, NCE0157A2D, IRF640N, NCE0157G, NCE0159, NCE0160AG, NCE0160G, NCE01H13D, NCE01NP03S, NCE01P05S, NCE01P13