Справочник MOSFET. NCE0157AK

 

NCE0157AK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE0157AK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 57 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 111 nC
   Время нарастания (tr): 55 ns
   Выходная емкость (Cd): 210 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для NCE0157AK

 

 

NCE0157AK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  ncepower
nce0157ak.pdf

NCE0157AK
NCE0157AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0157AKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

 6.1. Size:631K  ncepower
nce0157a2d.pdf

NCE0157AK
NCE0157AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE0157A2DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0157A2D uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 100V,I =57ADS DR

 6.2. Size:655K  ncepower
nce0157a.pdf

NCE0157AK
NCE0157AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE0157A2NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0157A2 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 100V,I =57ADS DR

 6.3. Size:335K  ncepower
nce0157a2.pdf

NCE0157AK
NCE0157AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0157A2NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157A2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top