Справочник MOSFET. NCE0157AK

 

NCE0157AK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE0157AK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NCE0157AK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0157AK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  ncepower
nce0157ak.pdfpdf_icon

NCE0157AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0157AKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

 6.1. Size:631K  ncepower
nce0157a2d.pdfpdf_icon

NCE0157AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE0157A2DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0157A2D uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 100V,I =57ADS DR

 6.2. Size:655K  ncepower
nce0157a.pdfpdf_icon

NCE0157AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE0157A2NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0157A2 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 100V,I =57ADS DR

 6.3. Size:335K  ncepower
nce0157a2.pdfpdf_icon

NCE0157AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0157A2NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157A2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE0117AK , NCE011N30GU , NCE0130GA , NCE0140AK2 , NCE0140I2 , NCE0140IA , NCE0157A , NCE0157A2D , IRF630 , NCE0157G , NCE0159 , NCE0160AG , NCE0160G , NCE01H13D , NCE01NP03S , NCE01P05S , NCE01P13 .

History: AM90N06-03B | STS8217 | DMN4026SSD

 

 
Back to Top

 


 
.