Справочник MOSFET. NCE1805S

 

NCE1805S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE1805S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 185 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для NCE1805S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE1805S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  ncepower
nce1805s.pdfpdf_icon

NCE1805S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1805SNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1805S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =185V,ID =5A RDS(ON)

 9.1. Size:384K  ncepower
nce1810ak.pdfpdf_icon

NCE1805S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1810AKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1810AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =180V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON)

 9.2. Size:388K  ncepower
nce1826k.pdfpdf_icon

NCE1805S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1826KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1826K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =185V,ID =26A RDS(ON)

 9.3. Size:295K  ncepower
nce18nd11u.pdfpdf_icon

NCE1805S

NCE18ND11Uhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE18ND11U uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =18V,ID =11A RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE15P25J , NCE15P25JI , NCE15P25JK , NCE15P30 , NCE15P30K , NCE1608N , NCE16P07J , NCE16P40Q , AO3401 , NCE1810AK , NCE1826K , NCE2004Y , NCE2006Y , NCE2012 , NCE2013J , NCE2014ES , NCE2025I .

History: TK40P04M | OSG65R260FSF_NB | HAF2007-90S | HCD80R1K4 | KTK5131E | SFU9024

 

 
Back to Top

 


 
.