NCE3080L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE3080L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для NCE3080L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3080L даташит

 ..1. Size:321K  ncepower
 nce3080l.pdf pdf_icon

NCE3080L

 7.1. Size:384K  ncepower
 nce3080k.pdf pdf_icon

NCE3080L

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3080K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 7.2. Size:312K  ncepower
 nce3080i.pdf pdf_icon

NCE3080L

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3080I NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 7.3. Size:296K  ncepower
 nce3080ia.pdf pdf_icon

NCE3080L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE3040Q, NCE3045G, NCE3050I, NCE3050KA, NCE3055, NCE3065G, NCE3065Q, NCE3080I, IRFP250N, NCE3085K, NCE30H10BG, NCE30H10G, NCE30H11BG, NCE30H11G, NCE30H12AK, NCE30H15B, NCE30H15BG