NCE30ND35Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE30ND35Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для NCE30ND35Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30ND35Q даташит

 ..1. Size:651K  ncepower
 nce30nd35q.pdf pdf_icon

NCE30ND35Q

http //www.ncepower.com NCE30ND35Q NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND35Q uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =30V,I =35A Schematic Diagram DS D R

 7.1. Size:356K  ncepower
 nce30nd07s.pdf pdf_icon

NCE30ND35Q

Pb Free Product NCE30ND07S http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =30V,ID =7A RDS(ON)

 7.2. Size:368K  ncepower
 nce30nd07as.pdf pdf_icon

NCE30ND35Q

NCE30ND07AS http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =7A RDS(ON)

 7.3. Size:292K  ncepower
 nce30nd07bs.pdf pdf_icon

NCE30ND35Q

NCE30ND07BS http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07BS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =6.5A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE30H10G, NCE30H11BG, NCE30H11G, NCE30H12AK, NCE30H15B, NCE30H15BG, NCE30H15BK, NCE30H33LL, K3569, NCE30NP1812G, NCE30NP1812Q, NCE30NP4030G, NCE30P06J, NCE30P10S, NCE30P12BS, NCE30P15AS, NCE30P16Q