Справочник MOSFET. NCE30ND35Q

 

NCE30ND35Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE30ND35Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для NCE30ND35Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30ND35Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:651K  ncepower
nce30nd35q.pdfpdf_icon

NCE30ND35Q

http://www.ncepower.comNCE30ND35QNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30ND35Q uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =35A Schematic DiagramDS DR

 7.1. Size:356K  ncepower
nce30nd07s.pdfpdf_icon

NCE30ND35Q

Pb Free ProductNCE30ND07Shttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =30V,ID =7A RDS(ON)

 7.2. Size:368K  ncepower
nce30nd07as.pdfpdf_icon

NCE30ND35Q

NCE30ND07AShttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =7A RDS(ON)

 7.3. Size:292K  ncepower
nce30nd07bs.pdfpdf_icon

NCE30ND35Q

NCE30ND07BShttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07BS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =6.5A RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE30H10G , NCE30H11BG , NCE30H11G , NCE30H12AK , NCE30H15B , NCE30H15BG , NCE30H15BK , NCE30H33LL , SPP20N60C3 , NCE30NP1812G , NCE30NP1812Q , NCE30NP4030G , NCE30P06J , NCE30P10S , NCE30P12BS , NCE30P15AS , NCE30P16Q .

History: SIHA22N60AE | SIR164ADP

 

 
Back to Top

 


 
.