NCE30ND35Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NCE30ND35Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180.8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8L
Аналог (замена) для NCE30ND35Q
NCE30ND35Q Datasheet (PDF)
nce30nd35q.pdf

http://www.ncepower.comNCE30ND35QNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30ND35Q uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =35A Schematic DiagramDS DR
nce30nd07s.pdf

Pb Free ProductNCE30ND07Shttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =30V,ID =7A RDS(ON)
nce30nd07as.pdf

NCE30ND07AShttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =7A RDS(ON)
nce30nd07bs.pdf

NCE30ND07BShttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07BS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =6.5A RDS(ON)
Другие MOSFET... NCE30H10G , NCE30H11BG , NCE30H11G , NCE30H12AK , NCE30H15B , NCE30H15BG , NCE30H15BK , NCE30H33LL , SPP20N60C3 , NCE30NP1812G , NCE30NP1812Q , NCE30NP4030G , NCE30P06J , NCE30P10S , NCE30P12BS , NCE30P15AS , NCE30P16Q .
History: SIHA22N60AE | SIR164ADP
History: SIHA22N60AE | SIR164ADP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent