NCE3N150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NCE3N150  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NCE3N150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3N150 даташит

 ..1. Size:638K  ncepower
 nce3n150.pdf pdf_icon

NCE3N150

NCE3N150 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The series of Power MOSFETs use advanced V 1650 V DS min@Tjmax technology and design.This high voltage MOSFET fits R 5.5 DS(ON)TYP Switched applications. ID 3 A Qg 32 nC Features High speed switching Intrinsic capacitances and Qg minimized 100% Avalanche Tested Application Switched applications

 0.1. Size:627K  ncepower
 nce3n150t.pdf pdf_icon

NCE3N150

NCE3N150T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The series of Power MOSFETs use advanced V 1650 V DS min@Tjmax technology and design.This high voltage MOSFET fits R 5.5 DS(ON)TYP Switched applications. ID 3 A Qg 32 nC Features High speed switching Intrinsic capacitances and Qg minimized 100% Avalanche Tested Application Switched applications

 0.2. Size:619K  ncepower
 nce3n150d.pdf pdf_icon

NCE3N150

NCE3N150D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The series of Power MOSFETs use advanced V 1650 V DS min@Tjmax technology and design.This high voltage MOSFET fits R 5.5 DS(ON)TYP Switched applications. ID 3 A Qg 32 nC Features High speed switching Intrinsic capacitances and Qg minimized 100% Avalanche Tested Application Switched applications

 0.3. Size:608K  ncepower
 nce3n150f.pdf pdf_icon

NCE3N150

NCE3N150F N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The series of Power MOSFETs use advanced V 1650 V DS min@Tjmax technology and design.This high voltage MOSFET fits R 5.5 DS(ON)TYP Switched applications. ID 3 A Qg 32 nC Features High speed switching Intrinsic capacitances and Qg minimized 100% Avalanche Tested Application Switched applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE3402A, NCE3406AN, NCE3407A, NCE3407E, NCE3415E, NCE3415Y, NCE3417, NCE3420X, K3569, NCE3N150D, NCE3N150F, NCE3N150PF, NCE3N150T, NCE3N170, NCE3N170D, NCE3N170F, NCE3N170PF