NCE3N150 - аналоги и даташиты транзистора

 

NCE3N150 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE3N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для NCE3N150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  ncepower
 nce3n150.pdf pdf_icon

NCE3N150

NCE3N150N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1650 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 5.5 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 3 AQg 32 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 0.1. Size:627K  ncepower
 nce3n150t.pdf pdf_icon

NCE3N150

NCE3N150TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1650 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 5.5 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 3 AQg 32 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 0.2. Size:619K  ncepower
 nce3n150d.pdf pdf_icon

NCE3N150

NCE3N150DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1650 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 5.5 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 3 AQg 32 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 0.3. Size:608K  ncepower
 nce3n150f.pdf pdf_icon

NCE3N150

NCE3N150FN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1650 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 5.5 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 3 AQg 32 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE3402A , NCE3406AN , NCE3407A , NCE3407E , NCE3415E , NCE3415Y , NCE3417 , NCE3420X , STF13NM60N , NCE3N150D , NCE3N150F , NCE3N150PF , NCE3N150T , NCE3N170 , NCE3N170D , NCE3N170F , NCE3N170PF .

 

 
Back to Top

 


 
.