NCE3N170 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NCE3N170  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NCE3N170

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3N170 даташит

 ..1. Size:654K  ncepower
 nce3n170.pdf pdf_icon

NCE3N170

NCE3N170 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The series of Power MOSFETs use advanced V 1850 V DS min@Tjmax technology and design.This high voltage MOSFET fits R 6 DS(ON)TYP Switched applications. ID 2.9 A Qg 33 nC Features High speed switching Intrinsic capacitances and Qg minimized 100% Avalanche Tested Application Switched applications

 0.1. Size:625K  ncepower
 nce3n170f.pdf pdf_icon

NCE3N170

NCE3N170F N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The series of Power MOSFETs use advanced V 1850 V DS min@Tjmax technology and design.This high voltage MOSFET fits R 6 DS(ON)TYP Switched applications. ID 2.9 A Qg 33 nC Features High speed switching Intrinsic capacitances and Qg minimized 100% Avalanche Tested Application Switched applications

 0.2. Size:635K  ncepower
 nce3n170d.pdf pdf_icon

NCE3N170

NCE3N170D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The series of Power MOSFETs use advanced V 1850 V DS min@Tjmax technology and design.This high voltage MOSFET fits R 6 DS(ON)TYP Switched applications. ID 2.9 A Qg 33 nC Features High speed switching Intrinsic capacitances and Qg minimized 100% Avalanche Tested Application Switched applications

 0.3. Size:643K  ncepower
 nce3n170t.pdf pdf_icon

NCE3N170

NCE3N170T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The series of Power MOSFETs use advanced V 1850 V DS min@Tjmax technology and design.This high voltage MOSFET fits R 6 DS(ON)TYP Switched applications. ID 2.9 A Qg 33 nC Features High speed switching Intrinsic capacitances and Qg minimized 100% Avalanche Tested Application Switched applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE3415Y, NCE3417, NCE3420X, NCE3N150, NCE3N150D, NCE3N150F, NCE3N150PF, NCE3N150T, SKD502T, NCE3N170D, NCE3N170F, NCE3N170PF, NCE3N170T, NCE4003, NCE4005, NCE4015S, NCE4090G