NCE3N170 - описание и поиск аналогов

 

NCE3N170 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE3N170
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для NCE3N170

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3N170 технические параметры

 ..1. Size:654K  ncepower
 nce3n170.pdf pdf_icon

NCE3N170

NCE3N170 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The series of Power MOSFETs use advanced V 1850 V DS min@Tjmax technology and design.This high voltage MOSFET fits R 6 DS(ON)TYP Switched applications. ID 2.9 A Qg 33 nC Features High speed switching Intrinsic capacitances and Qg minimized 100% Avalanche Tested Application Switched applications

 0.1. Size:625K  ncepower
 nce3n170f.pdf pdf_icon

NCE3N170

NCE3N170F N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The series of Power MOSFETs use advanced V 1850 V DS min@Tjmax technology and design.This high voltage MOSFET fits R 6 DS(ON)TYP Switched applications. ID 2.9 A Qg 33 nC Features High speed switching Intrinsic capacitances and Qg minimized 100% Avalanche Tested Application Switched applications

 0.2. Size:635K  ncepower
 nce3n170d.pdf pdf_icon

NCE3N170

NCE3N170D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The series of Power MOSFETs use advanced V 1850 V DS min@Tjmax technology and design.This high voltage MOSFET fits R 6 DS(ON)TYP Switched applications. ID 2.9 A Qg 33 nC Features High speed switching Intrinsic capacitances and Qg minimized 100% Avalanche Tested Application Switched applications

 0.3. Size:643K  ncepower
 nce3n170t.pdf pdf_icon

NCE3N170

NCE3N170T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The series of Power MOSFETs use advanced V 1850 V DS min@Tjmax technology and design.This high voltage MOSFET fits R 6 DS(ON)TYP Switched applications. ID 2.9 A Qg 33 nC Features High speed switching Intrinsic capacitances and Qg minimized 100% Avalanche Tested Application Switched applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE3415Y , NCE3417 , NCE3420X , NCE3N150 , NCE3N150D , NCE3N150F , NCE3N150PF , NCE3N150T , 8N60 , NCE3N170D , NCE3N170F , NCE3N170PF , NCE3N170T , NCE4003 , NCE4005 , NCE4015S , NCE4090G .

History: NCE3N170T

 

 
Back to Top

 


 
.