NCE40H11K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE40H11K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 382 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для NCE40H11K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE40H11K даташит

 ..1. Size:753K  ncepower
 nce40h11k.pdf pdf_icon

NCE40H11K

Pb Free Product NCE40H11K http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H11K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =40V,I =110A DS D Schematic diagram R

 6.1. Size:721K  ncepower
 nce40h11.pdf pdf_icon

NCE40H11K

Pb Free Product NCE40H11 http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H11 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =40V,I =110A Schematic diagram DS D R

 7.1. Size:669K  ncepower
 nce40h10k.pdf pdf_icon

NCE40H11K

NCE40H10K http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H10K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =40V,I =100A DS D Schematic diagram R

 7.2. Size:401K  ncepower
 nce40h12.pdf pdf_icon

NCE40H11K

Pb Free Product NCE40H12 http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE3N170T, NCE4003, NCE4005, NCE4015S, NCE4090G, NCE4090K, NCE40H10K, NCE40H11, IRF9640, NCE40H12A, NCE40H25LL, NCE40H30D, NCE40H32LL, NCE40NP2815G, NCE40P06J, NCE40P06S, NCE40P15Q