NCE40H30D datasheet, аналоги, параметры транзистора

NCE40H30D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NCE40H30D 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: TO-263

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для NCE40H30D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

NCE40H30D даташит

..1. Size:401K ncepower
nce40h30d.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCE40H30D NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H30D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V ,ID =300A RDS(ON)

7.1. Size:383K ncepower
nce40h32ll.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCE40H32LL NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE40H32LL uses advanced trench technology and VDS =40V ,ID =320A design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It RDS(ON)

8.1. Size:339K ncepower
nce40h25ll.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCE40H25LL NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features Description VDS =40V ,ID =250A The NCE40H25LL uses advanced trench technology and RDS(ON)

8.2. Size:669K ncepower
nce40h10k.pdf pdf_icon

NCE40H10K http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H10K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =40V,I =100A DS D Schematic diagram R