Справочник MOSFET. FQA32N20C

 

FQA32N20C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA32N20C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 204 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 82.5 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FQA32N20C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA32N20C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  fairchild semi
 fqa32n20c.pdf pdf_icon

FQA32N20C

QFETFQA32N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 32A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast s

 ..2. Size:2899K  onsemi
 fqa32n20c.pdf pdf_icon

FQA32N20C

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CS8N65A8H

 

 
Back to Top

 


 
.