FQA32N20C - описание и поиск аналогов

 

FQA32N20C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA32N20C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 204 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FQA32N20C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA32N20C даташит

 ..1. Size:625K  fairchild semi
 fqa32n20c.pdf pdf_icon

FQA32N20C

QFET FQA32N20C 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 32A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast s

 ..2. Size:2899K  onsemi
 fqa32n20c.pdf pdf_icon

FQA32N20C

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FQA19N60 , SDF07N50T , FQA24N60 , SDF07N50 , FQA27N25 , FQA28N15 , FQA30N40 , SDF06N60 , IRF1407 , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , FQA62N25C , FQA65N20 .

History: PSMN4R3-100ES

 

 

 

 

↑ Back to Top
.