NCE60P12AS - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

NCE60P12AS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE60P12AS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 356 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для NCE60P12AS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

NCE60P12AS даташит

..1. Size:445K ncepower
nce60p12as.pdf pdf_icon

NCE60P12AS http //www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P12AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-60V,ID =-12A RDS(ON)

6.1. Size:417K ncepower
nce60p12k.pdf pdf_icon

7.1. Size:410K ncepower
nce60p16aq.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCE60P16AQ NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P16AQ uses advanced trench technology to provide General Features excellent R , This device is suitable for use as a load switch DS(ON) V = -60V,I = -16A DS D or power management. R

7.2. Size:418K ncepower
nce60p18ak.pdf pdf_icon