NCE70N100I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE70N100I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для NCE70N100I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE70N100I даташит

 ..1. Size:390K  ncepower
 nce70n100i.pdf pdf_icon

NCE70N100I

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE70N100I NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE70N100I uses advanced trench technology and D design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. G General Features S VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

 7.1. Size:794K  ncepower
 nce70n1k4k.pdf pdf_icon

NCE70N100I

NCE70N1K4K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 750 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 1200 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 3.5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 5 nC power conversion, and indus

 7.2. Size:791K  ncepower
 nce70n1k1k.pdf pdf_icon

NCE70N100I

NCE70N1K1K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 750 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 1000 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 4.5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 9.5 nC power conversion, and ind

 7.3. Size:870K  ncepower
 nce70n1k4r.pdf pdf_icon

NCE70N100I

NCE70N1K4R N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 750 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 1200 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 3.5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 5 nC power conversion, and indus

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE65T130T, NCE65T180V, NCE65T1K9I, NCE65T1K9K, NCE65TF078T, NCE6602N, NCE6890D, NCE70H10F, IRF1405, NCE70N1K1D, NCE70N1K1F, NCE70N1K1I, NCE70N1K1K, NCE70N1K1R, NCE70N1K4F, NCE70N1K4I, NCE70N1K4K