NCE8290. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE8290

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 82 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для NCE8290

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE8290 даташит

 ..1. Size:375K  ncepower
 nce8290.pdf pdf_icon

NCE8290

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE8290 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8290 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =90A RDS(ON)

 0.1. Size:353K  ncepower
 nce8290ac.pdf pdf_icon

NCE8290

http //www.ncepower.com NCE8290AC NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8290AC uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Schematic diagram General Features VDS =82V,ID =90A RDS(ON)

 0.2. Size:352K  ncepower
 nce8290b.pdf pdf_icon

NCE8290

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE8290B NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8290B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. General Features VDS =82V,ID =90A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:612K  ncepower
 nce8295ag.pdf pdf_icon

NCE8290

http //www.ncepower.com NCE8295AG NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE8295AG uses advanced trench technology and design V =82V,I =95A DS D to provide excellent R with low gate charge. This device is R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE70T900R, NCE72R60D, NCE75H21, NCE75H21D, NCE75H21T, NCE75H25, NCE75H25T, NCE75H35TC, IRF630, NCE8290B, NCE8295AG, NCE8295AI, NCE82H140, NCE82H140LL, NCE82H160, NCE82H160D, NCE85H21TC