FQB44N10 - описание и поиск аналогов

 

FQB44N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB44N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 146 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для FQB44N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB44N10 даташит

 ..1. Size:1016K  fairchild semi
 fqb44n10 fqi44n10.pdf pdf_icon

FQB44N10

October 2008 QFET FQB44N10 / FQI44N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 43.5A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especi

 ..2. Size:893K  onsemi
 fqb44n10.pdf pdf_icon

FQB44N10

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FQB33N10L , SDD03N70 , FQB34N20 , SDD03N50 , FQB34N20L , SDD03N04 , FQB34P10 , FQB34P10TMF085 , IRFB4110 , SDD02N70 , FQB47P06 , FQB4N80 , SDD02N60 , FQB50N06 , FQB50N06L , FQB55N10 , SDD01N70 .

History: SWD10N50K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.