FQB47P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FQB47P06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 84 nC
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO263 D2PAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FQB47P06 Datasheet (PDF)
fqb47p06 fqi47p06.pdf

October 2008QFETFQB47P06 / FQI47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especi
fqb47p06.pdf

FQB47P06P-Channel QFET MOSFET-60 V, -47 A, 26 mFeatures -47 A, -60 V, RDS(on) = 26 m (Max.) @ VGS = .10 V,DescriptionID = -23.5 AThis P-Channel enhancement mode power MOSFET is Low Gate Charge (Typ. 84 nC)produced using ON Semiconductors proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET Low Crss (Typ. 320 pF)technology has been esp
fqb47p06tm am002 fqi47p06tu.pdf

October 2008QFETFQB47P06 / FQI47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especi
Другие MOSFET... FQB34N20 , SDD03N50 , FQB34N20L , SDD03N04 , FQB34P10 , FQB34P10TMF085 , FQB44N10 , SDD02N70 , IRF3710 , FQB4N80 , SDD02N60 , FQB50N06 , FQB50N06L , FQB55N10 , SDD01N70 , FQB5N50C , FQB5N90 .
History: STP90N6F6
History: STP90N6F6



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet