NCEPB302G - описание и поиск аналогов

 

NCEPB302G - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCEPB302G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 344 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для NCEPB302G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEPB302G технические параметры

 ..1. Size:533K  ncepower
 ncepb302g.pdf pdf_icon

NCEPB302G

http //www.ncepower.com NCEPB302G 30V Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEPB302G uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. It includes two specialized MOS

 7.1. Size:526K  ncepower
 ncepb303gu.pdf pdf_icon

NCEPB302G

http //www.ncepower.com NCEPB303GU 30V Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEPB303GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. It includes two specialized M

Другие MOSFET... NCEP85T10G , NCEP85T15D , NCEP85T25 , NCEP85T25VD , NCEP85T30LL , NCEP85T30T , NCEP8814AS , NCEP8818AS , 10N60 , NCEPB303GU , NCES120R036T4 , NCES120R062T4 , QM0930M3 , MRF134 , MRF136 , MRF136Y , MRF137 .

 

 
Back to Top

 


 
.