NCEPB302G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NCEPB302G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 344 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NCEPB302G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEPB302G даташит

 ..1. Size:533K  ncepower
 ncepb302g.pdf pdf_icon

NCEPB302G

http //www.ncepower.com NCEPB302G 30V Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEPB302G uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. It includes two specialized MOS

 7.1. Size:526K  ncepower
 ncepb303gu.pdf pdf_icon

NCEPB302G

http //www.ncepower.com NCEPB303GU 30V Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEPB303GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. It includes two specialized M

Другие IGBT... NCEP85T10G, NCEP85T15D, NCEP85T25, NCEP85T25VD, NCEP85T30LL, NCEP85T30T, NCEP8814AS, NCEP8818AS, IRF3710, NCEPB303GU, NCES120R036T4, NCES120R062T4, QM0930M3, MRF134, MRF136, MRF136Y, MRF137