MRF137. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MRF137

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: CASE211-07

Аналог (замена) для MRF137

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MRF137 даташит

 ..1. Size:196K  motorola
 mrf137.pdf pdf_icon

MRF137

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF137/D The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor N Channel Enhancement Mode MRF137 . . . designed for wideband large signal output and driver stages up to 400 MHz range. Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance Output Power = 30 Watts Minimum Gain = 13 dB 30 W, to 400 MHz Efficiency 60% (Typical)

 ..2. Size:431K  macom
 mrf137.pdf pdf_icon

MRF137

MRF137 The RF MOSFET Line M/A-COM Products Released - Rev. 05202009 30W, to 400MHz, 28V Product Image Designed for wideband large signal output and drive stages up to 400 MHz range. N Channel enhancement mode Guaranteed 28 V, 150 MHz performance Output power = 30 W Minimum gain = 13 dB Efficiency 60% (Typical) Small and large signal characterizati

 0.1. Size:98K  motorola
 mrf1375r.pdf pdf_icon

MRF137

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1375/D The RF Line Microwave Pulse MRF1375 Power Transistor Designed for 1025 1150 MHz pulse common base amplifier applications such as TACAN and DME. Guaranteed Performance @ 1090 MHz Output Power = 375 Watts Peak 375 W (PEAK), 1025 1150 MHz Gain = 6.7 dB Min 7.5 dB (Typ) MICROWAVE POWER 100% Tested for

 0.2. Size:196K  motorola
 mrf137re.pdf pdf_icon

MRF137

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF137/D The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor N Channel Enhancement Mode MRF137 . . . designed for wideband large signal output and driver stages up to 400 MHz range. Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance Output Power = 30 Watts Minimum Gain = 13 dB 30 W, to 400 MHz Efficiency 60% (Typical)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCEPB302G, NCEPB303GU, NCES120R036T4, NCES120R062T4, QM0930M3, MRF134, MRF136, MRF136Y, IRF630, MRF138, MRF140, MRF141, MRF141G, MRF148, MRF150, MRF1507, MRF1507T1