MRF177M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MRF177M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5556 Ohm

Тип корпуса: CASE744A-01

Аналог (замена) для MRF177M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MRF177M даташит

 ..1. Size:191K  motorola
 mrf177 mrf177m.pdf pdf_icon

MRF177M

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF177/D The RF MOSFET Line RF Power MRF177 Field Effect Transistors MRF177M N Channel Enhancement Mode MOSFETs Designed for broadband commercial and military applications up to 400 MHz frequency range. Primarily used as drivers or output amplifiers in push pull configurations. Can be used in manual gain control, ALC a

 8.1. Size:191K  motorola
 mrf177re.pdf pdf_icon

MRF177M

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF177/D The RF MOSFET Line RF Power MRF177 Field Effect Transistors MRF177M N Channel Enhancement Mode MOSFETs Designed for broadband commercial and military applications up to 400 MHz frequency range. Primarily used as drivers or output amplifiers in push pull configurations. Can be used in manual gain control, ALC a

 8.2. Size:186K  motorola
 mrf177rev8.pdf pdf_icon

MRF177M

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF177/D The RF MOSFET Line MRF177 RF Power Field Effect Transistors N Channel Enhancement Mode MOSFET 100 W, 28 V, 400 MHz Designed for broadband commercial and military applications up to 400 MHz N CHANNEL frequency range. Primarily used as a driver or output amplifier in push pull BROADBAND configurations. Can b

 8.3. Size:186K  motorola
 mrf177.pdf pdf_icon

MRF177M

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF177/D The RF MOSFET Line MRF177 RF Power Field Effect Transistors N Channel Enhancement Mode MOSFET 100 W, 28 V, 400 MHz Designed for broadband commercial and military applications up to 400 MHz N CHANNEL frequency range. Primarily used as a driver or output amplifier in push pull BROADBAND configurations. Can b

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MRF174, MRF175GU, MRF175GV, MRF175LU, MRF175LV, MRF176GU, MRF176GV, MRF177, 4N60, MRF184, MRF184S, MRF275G, MRF5003, MRF5007, MRF5007R1, MRF5015, MRF5035