BRCS035N10SHBD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS035N10SHBD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 237 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2050 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для BRCS035N10SHBD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS035N10SHBD даташит

 ..1. Size:1216K  blue-rocket-elect
 brcs035n10shbd.pdf pdf_icon

BRCS035N10SHBD

BRCS035N10SHBD Rev.A Aug.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching,HF Product. / Applications BMS High frequency switching and synchronous r

 2.1. Size:1338K  blue-rocket-elect
 brcs035n10shzc.pdf pdf_icon

BRCS035N10SHBD

BRCS035N10SHZC Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance

 6.1. Size:2015K  blue-rocket-elect
 brcs035n08shbd.pdf pdf_icon

BRCS035N10SHBD

BRCS035N08SHBD Rev.A Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching, HF Product. / Applications BMS BMS appliances, High power inve

 6.2. Size:1676K  blue-rocket-elect
 brcs035n04sdp.pdf pdf_icon

BRCS035N10SHBD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS035N03DP, BRCS035N03ZC, BRCS035N04SDP, BRCS035N06SDP, BRCS035N06SZC, BRCS035N08SHBD, BRCS035N08SHRA, BRCS035N08SHZC, AO3400, BRCS035N10SHZC, BRCS040N02DP, BRCS040N03DP, BRCS045N08SHBD, BRCS045N08SHRA, BRCS045N10SHBD, BRCS045N10SHRA, BRCS050N03DP