FQA24N50 - описание и поиск аналогов

 

FQA24N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA24N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FQA24N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA24N50 даташит

 ..1. Size:1520K  fairchild semi
fqa24n50.pdfpdf_icon

FQA24N50

June 2014 FQA24N50 N-Channel QFET MOSFET 500 V, 24 A, 200 m Features Description 24 A, 500 V, RDS(on) = 200 m (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 12 A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low Gate Charge (Typ. 90 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss (Typ. 55 pF) This advanced technology has been e

 ..2. Size:749K  fairchild semi
fqa24n50 f109.pdfpdf_icon

FQA24N50

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 500V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 500V, RDS(on) = 0.2 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 55 pF) This advanced technology has been e

 0.1. Size:641K  fairchild semi
fqa24n50f.pdfpdf_icon

FQA24N50

September 2001 TM FRFET FQA24N50F 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 500V, RDS(on) = 0.2 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 55 pF) This advanced technology has been especially tail

 0.2. Size:210K  inchange semiconductor
fqa24n50f.pdfpdf_icon

FQA24N50

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FQA24N50F FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

Другие MOSFET... FQD13N10L , MTD3055V , FQD16N25C , FQD17N08L , FQD17P06 , FQD18N20V2 , MTD3055VL , FQD19N10 , BS170 , FQD19N10L , FQP6N70 , FQD1N60C , FQP50N06 , FQD1N80 , FQA28N50 , FQD20N06 , FQD2N100 .

History: SI2316DS | SUN0460I2 | 4N65KG-TMS4-T | BRFL13N50 | IRF7313QPBF | SUN0465I2 | SUN0460D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.