BRCS30P10IP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BRCS30P10IP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для BRCS30P10IP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BRCS30P10IP даташит
brcs30p10ip.pdf
BRCS30P10IP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-251 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
brcs30p10dp.pdf
BRCS30P10DP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
Другие MOSFET... BRCS2N65AA , BRCS2N65IP , BRCS2N65QF , BRCS300P016MC , BRCS300P016ZJ , BRCS30N02DP , BRCS30N02IP , BRCS30N10DP , 5N60 , BRCS3134WA , BRCS3134ZK , BRCS3139ZK , BRCS3400MA , BRCS3404MA , BRCS3404MC , BRCS3411MF , BRCS350P04DP .
History: BSO150N03 | KP726A1 | LSGE04R035 | AP6N6R5H
History: BSO150N03 | KP726A1 | LSGE04R035 | AP6N6R5H
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690








