BRCS30P10IP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BRCS30P10IP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 53.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16.5 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 198 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для BRCS30P10IP
BRCS30P10IP Datasheet (PDF)
brcs30p10ip.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS30P10IP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-251 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
brcs30p10dp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS30P10DP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
brcs30n10dp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS30N10DP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions NTO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features RDS(on) Crss Low RDS(on) ,low gate charge, low C rss , fast switching. / Applications DC/DC
brcs300p016mc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS300P016MC Rev.A Nov.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features V (V) = -16V I = -5A DS DRDS(ON)@-4.5V32m(Type.27m) RDS(ON)@-2.5V42m(Type.37.3m) RDS(ON)@-1.8V60m(Type.51m) HF Product. / Applications
brcs300p016zj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS300P016ZJ Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 22B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 22B-6L Plastic Package. / Features V (V) = -16V I = -11A DS DRDS(ON)@-4.5V32m HF Product. / Applications
brcs300p02zj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS300P02ZJ Rev.A Aug.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN 2*2B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = -20V ID = -8A RDS(ON)@-4.5V30m HF Product. / Applications
brcs30n02ip.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS30N02IP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions N TO-251 N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
brcs30n02dp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BRCS30N02DP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
![BRCS30P10IP](https://alltransistors.com/images/us.png)
![BRCS30P10IP](https://alltransistors.com/images/es.png)
![BRCS30P10IP](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C