BRCS30P10IP - описание и поиск аналогов

 

BRCS30P10IP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS30P10IP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для BRCS30P10IP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS30P10IP даташит

 ..1. Size:894K  blue-rocket-elect
brcs30p10ip.pdfpdf_icon

BRCS30P10IP

BRCS30P10IP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-251 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 5.1. Size:851K  blue-rocket-elect
brcs30p10dp.pdfpdf_icon

BRCS30P10IP

BRCS30P10DP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 8.1. Size:860K  blue-rocket-elect
brcs30n10dp.pdfpdf_icon

BRCS30P10IP

 8.2. Size:1563K  blue-rocket-elect
brcs300p016mc.pdfpdf_icon

BRCS30P10IP

Другие MOSFET... BRCS2N65AA , BRCS2N65IP , BRCS2N65QF , BRCS300P016MC , BRCS300P016ZJ , BRCS30N02DP , BRCS30N02IP , BRCS30N10DP , 5N60 , BRCS3134WA , BRCS3134ZK , BRCS3139ZK , BRCS3400MA , BRCS3404MA , BRCS3404MC , BRCS3411MF , BRCS350P04DP .

History: BSO150N03 | KP726A1 | LSGE04R035 | AP6N6R5H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.