Справочник MOSFET. RU30180M-C

 

RU30180M-C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU30180M-C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для RU30180M-C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30180M-C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:551K  ruichips
 ru30180m-c.pdf pdf_icon

RU30180M-C

RU30180M-CN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/160A,RDS (ON) =1.4m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =1.6m(Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM TechnologyG Ultra Low On-ResistanceSSS 100% Avalanche TestedD Reliable and RuggedD Qualified According to JEDEC CriteriaDDPIN1 Lead Free and Green Devices (RoHS

 9.1. Size:317K  ruichips
 ru30120s.pdf pdf_icon

RU30180M-C

RU30120SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10VD RDS (ON) =3.3m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DApplications DC-DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

 9.2. Size:296K  ruichips
 ru30100l.pdf pdf_icon

RU30180M-C

RU30100LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/100A,RDS (ON) =2.2 m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4 m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Proces

 9.3. Size:276K  ruichips
 ru30120l.pdf pdf_icon

RU30180M-C

RU30120LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Rat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C , RU2N65P , RU30110M , RU30120M3 , CS150N03A8 , RU3030M3 , RU3040M3 , RU3070M3 , RU30C20M3 , RU30C30M , RU30C40M3 , RU30J30M3 , RU30L30M3 .

History: STP28N60M2 | DMG2307L | IRF7105PBF | AP0603GM | STP18N60DM2 | MMFTN3019E | IPI100N08S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.