FQD4N25 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FQD4N25  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.75 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FQD4N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD4N25 даташит

 ..1. Size:722K  fairchild semi
 fqd4n25 fqu4n25.pdf pdf_icon

FQD4N25

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD4N25 / FQU4N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.0A, 250V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.8 pF) This advanced technology

 ..2. Size:822K  onsemi
 fqd4n25.pdf pdf_icon

FQD4N25

FQD4N25 N-Channel QFET MOSFET 250 V, 3 A, 1.75 Features 3 A, 250 V, RDS(on) = 1.75 (Max.) @ VGS = 10 V, Description ID = 1.5 A This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor s proprietary planar Low Gate Charge (Typ. 4.3 nC) stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET Low Crss (Typ. 4.8 pF) technology has been especially

 0.1. Size:717K  fairchild semi
 fqd4n25tf fqd4n25tm fqu4n25tu.pdf pdf_icon

FQD4N25

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD4N25 / FQU4N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.0A, 250V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.8 pF) This advanced technology

 8.1. Size:521K  fairchild semi
 fqd4n20ltm.pdf pdf_icon

FQD4N25

December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD4N20L / FQU4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.2A, 200V, RDS(on) = 1.35 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQD2P40, FQD30N06, FQD3N60CTMWS, FQB9P25, FQD3P50, FQD3P50TMF085, FQD4N20, FQP11P06, 2N60, FQD4P25, FQD5N20L, FQP12P10, FQD5N60C, FDS4675, FQD5P10, FQD5P20, FQD6N25