H2N65D - описание и поиск аналогов

 

H2N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H2N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для H2N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H2N65D даташит

 ..1. Size:375K  cn haohai electr
 h2n65u h2n65d.pdf pdf_icon

H2N65D

2N65 Series N-Channel MOSFET 2A, 650V, N H FQU2N65C H2N65U U TO-251 80 / 4Kpcs/ 24Kpcs HAOHAI 2N65 FQD2N65C H2N65D D TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/ 2N65 Series Pin Assignment APPLICATION ID=2A

 9.1. Size:1015K  lonten
 lnd2n65 lnc2n65 lng2n65 lnh2n65.pdf pdf_icon

H2N65D

LND2N65/LNC2N65/LNG2N65/LNH2N65 Lonten N-channel 650V, 2A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planer VDMOS technology. The ID 2A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 5.2 superior switching performance and high avalance Qg,typ 10.2 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate charge

 9.2. Size:1401K  lonten
 lnd2n65 lnc2n65 lng2n65 lnh2n65 lnu2n65.pdf pdf_icon

H2N65D

LND2N65/LNC2N65/LNG2N65/LNH2N65/LNU2N65 Lonten N-channel 650V, 2A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 2A D resulting device has low conduction resistance, R 5.2 DS(on),max superior switching performance and high avalance Q 10.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate

Другие MOSFET... H2301 , H2302 , H2302A , H2N60P , H2N60F , H2N60U , H2N60D , H2N65U , IRFZ24N , H4N60P , H4N60F , H4N60U , H4N60D , H4N65U , H4N65D , H5N50U , H5N50D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.