Справочник MOSFET. H4N60P

 

H4N60P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: H4N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.8 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для H4N60P

 

 

H4N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  cn haohai electr
 h4n60p h4n60f.pdf

H4N60P H4N60P

4N60 SeriesN-Channel MOSFET4A, 600V, N H FQP4N60C H4N60P P: TO-220ABHAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs4N60FQPF4N60C H4N60F F: TO-220FP4N60 Series Pin AssignmentID=4AAPPLICATIONELECTRONIC BALLAST

 9.1. Size:178K  1
 ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdf

H4N60P H4N60P

 9.2. Size:441K  semelab
 ssh4n55 ssh4n60.pdf

H4N60P H4N60P

SSH4N55 PCB24

 9.3. Size:1293K  lonten
 lnc4n60 lnd4n60 lng4n60 lnh4n60 lnf4n60.pdf

H4N60P H4N60P

LNC4N60\LND4N60\LNG4N60\LNH4N60\LNF4N60Lonten N-channel 600V, 4A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 4ADresulting device has low conduction resistance, R 2.4DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 12.8 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate

 9.4. Size:1028K  lonten
 lnc4n60 lnd4n60 lng4n60 lnh4n60.pdf

H4N60P H4N60P

LNC4N60\LND4N60\LNG4N60\LNH4N60 Lonten N-channel 600V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 600V advanced planar VDMOS technology. The ID 4A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 2.4 superior switching performance and high avalance Qg,typ 12.8 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate charge

 9.5. Size:370K  cn haohai electr
 h4n60u h4n60d.pdf

H4N60P H4N60P

4N60 SeriesN-Channel MOSFET4A, 600V, N H FQU4N60C H4N60U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI4N60FQD4N60C H4N60D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/4N60 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=4A

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top