Справочник MOSFET. FQD7P06

 

FQD7P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQD7P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO252_DPAK

Аналог (замена) для FQD7P06

 

 

FQD7P06 Datasheet (PDF)

1.1. fqd7p06 fqu7p06.pdf Size:707K _fairchild_semi

FQD7P06
FQD7P06

May 2001 TM QFET FQD7P06 / FQU7P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -5.4A, -60V, RDS(on) = 0.45? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been especially tailored to

5.1. fqd7p20 fqu7p20.pdf Size:731K _fairchild_semi

FQD7P06
FQD7P06

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD7P20 / FQU7P20 200V P-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -5.7A, -200V, RDS(on) = 0.69? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been e

Другие MOSFET... FQD6N40C , HUFA76419D_F085 , FQD6N50C , FQD7N10L , HUFA75645S3S , FQD7N20L , IRFS450B , FQD7N30 , 2SK1058 , FQD7P20 , FQD8P10 , FQD8P10TM_F085 , FQD9N25 , FQD9N25TM_F085 , FQH44N10 , FDS4480 , FQH8N100C .

Back to Top

 


FQD7P06
  FQD7P06
  FQD7P06
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: FQA22P10 | FQA20N40 | FQA19N20L | FQA17P10 | FQA17N40 | FQA16N50 | FQA16N25C | FQA14N30 | FQA13N80 | FQA13N50C | FQA13N50 | FQA12P20 | FQA12N60 | FQA11N90C | FQA11N90 |
 


 

 

Back to Top