Справочник MOSFET. NCE60P82AF

 

NCE60P82AF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE60P82AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 91.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 356 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для NCE60P82AF

 

 

NCE60P82AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:665K  ncepower
nce60p82af.pdf

NCE60P82AF
NCE60P82AF

NCE60P82AFhttp://www.ncepower.comNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V =-60V,I =-41ADescription DS DThe NCE60P82AF uses advanced trench technology and design R

 5.1. Size:611K  ncepower
nce60p82ad.pdf

NCE60P82AF
NCE60P82AF

NCE60P82ADhttp://www.ncepower.comNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE60P82AD uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge .ThisDS(ON)device is well suited for high current load applications.General Features V =-60V,I =-82ADS DR

 5.2. Size:718K  ncepower
nce60p82a.pdf

NCE60P82AF
NCE60P82AF

NCE60P82Ahttp://www.ncepower.comNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE60P82A uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge .ThisDS(ON)device is well suited for high current load applications.General Features V =-60V,I =-82ADS DR

 5.3. Size:624K  ncepower
nce60p82ak.pdf

NCE60P82AF
NCE60P82AF

NCE60P82AKhttp://www.ncepower.comNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE60P82AK uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge .ThisDS(ON)device is well suited for high current load applications.General Features V =-60V,I =-82ADS DR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top