Справочник MOSFET. BLP08N10G-Q

 

BLP08N10G-Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLP08N10G-Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для BLP08N10G-Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLP08N10G-Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1367K  belling
 blp08n10g-d blp08n10g-q.pdf pdf_icon

BLP08N10G-Q

BLP08N10G MOSFET Step-Down Converter , 1Description BLP08N10G, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for Synchronous rectification and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Paramet

 4.1. Size:975K  belling
 blp08n10g-p blp08n10g-b.pdf pdf_icon

BLP08N10G-Q

BLP08N10G MOSFET Step-Down Converter , 1Description BLP08N10G, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for Synchronous rectification and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Paramet

Другие MOSFET... BLP065N10GL-Q , BLP06N08G-B , BLP06N08G-P , BLP075N10G-B , BLP075N10G-P , BLP08N10G-B , BLP08N10G-D , BLP08N10G-P , BS170 , BLP10N20J-B , BLP10N20J-P , BLP12N10G-B , BLP12N10G-D , BLP12N10G-E , BLP12N10GL-D , BLP12N10GL-Q , BLP12N10G-P .

History: FC6B21150L | NTMFS4939NT1G | RS1G120MN | FDP8N50NZU | AP9435GP-HF | CS10N60A8HD | TPB70R950C

 

 
Back to Top

 


 
.