BLP08N10G-Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLP08N10G-Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для BLP08N10G-Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLP08N10G-Q даташит

 ..1. Size:1367K  belling
 blp08n10g-d blp08n10g-q.pdf pdf_icon

BLP08N10G-Q

BLP08N10G MOSFET Step-Down Converter , 1 Description BLP08N10G, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for Synchronous rectification and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Paramet

 4.1. Size:975K  belling
 blp08n10g-p blp08n10g-b.pdf pdf_icon

BLP08N10G-Q

BLP08N10G MOSFET Step-Down Converter , 1 Description BLP08N10G, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for Synchronous rectification and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Paramet

Другие IGBT... BLP065N10GL-Q, BLP06N08G-B, BLP06N08G-P, BLP075N10G-B, BLP075N10G-P, BLP08N10G-B, BLP08N10G-D, BLP08N10G-P, IRF730, BLP10N20J-B, BLP10N20J-P, BLP12N10G-B, BLP12N10G-D, BLP12N10G-E, BLP12N10GL-D, BLP12N10GL-Q, BLP12N10G-P