2SK3147. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3147

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для 2SK3147

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3147 даташит

 ..1. Size:94K  renesas
 2sk3147.pdf pdf_icon

2SK3147

2SK3147(L), 2SK3147(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1072-0200 (Previous ADE-208-731) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS =0.1 typ. High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code PRSS0004ZD-B RENESAS Package code PRSS0004ZD-C (Package name DPAK(L)-(

 0.1. Size:233K  renesas
 rej03g1072 2sk3147lsds.pdf pdf_icon

2SK3147

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 0.2. Size:852K  cn vbsemi
 2sk3147s.pdf pdf_icon

2SK3147

2SK3147S www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 100 0.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 0.3. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3147s.pdf pdf_icon

2SK3147

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3147S FEATURES Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.13 (Max)@VGS= 10V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3082, 2SK3133, 2SK3134, 2SK3135, 2SK3136, 2SK3140, 2SK3141, 2SK3142, IRF830, 2SK3148, 2SK3149, 2SK3150, 2SK3151, 2SK3152, 2SK3153, 2SK3154, 2SK3155