MPSA80M850B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPSA80M850B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для MPSA80M850B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPSA80M850B даташит

 ..1. Size:1141K  cn marching-power
 mpsa80m850b.pdf pdf_icon

MPSA80M850B

MPSA80M850B 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features BV DSS=800 V, I D =6.6 A RDS(on) @ 0.85 (Max) V GS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% Avalanche Tested G D Built-in ESD Diode S TO-220F Application Switch Mode Power Supply (SMPS) TV power & LED Lighting Power

 7.1. Size:1064K  cn marching-power
 mpsa80m670b.pdf pdf_icon

MPSA80M850B

MPSA80M670B 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features BV DSS=800 V, I D =8.0 A RDS(on) @ 0.67 (Max) V GS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% Avalanche Tested G D Built-in ESD Diode S TO-220F Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Sup

 7.2. Size:1101K  cn marching-power
 mpsa80m250b.pdf pdf_icon

MPSA80M850B

MPSA80M250B 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features BV DSS=800 V, I D =18 A RDS(on) @ 0.25 (Max) V GS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% Avalanche Tested G D Built-in ESD Diode S TO-220F Application Switch Mode Power Supply (SMPS) TV power & LED Lighting Power

 7.3. Size:1073K  cn marching-power
 mpsa80m380b.pdf pdf_icon

MPSA80M850B

MPSA80M380B 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features BV DSS=800 V, I D =13.0 A RDS(on) @ 0.38 (Max) V GS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% Avalanche Tested G D Built-in ESD Diode S TO-220F Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Su

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MPSA70M290, MPSP70M290, MPSH70M290, MPSC70M290, MPSA70M300CFD, MPSA80M250B, MPSA80M380B, MPSA80M670B, NCEP15T14, MPSC60M160CFD, MPSC70M360B, MPSD70M600B, MPSD70M710B, MPSD70M910B, MPSU70M1K1B, MPSU70M1K5, MPSW60M043CFD