Справочник MOSFET. FIR11N90ANG

 

FIR11N90ANG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FIR11N90ANG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для FIR11N90ANG

 

 

FIR11N90ANG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1821K  first semi
 fir11n90ang.pdf

FIR11N90ANG FIR11N90ANG

FIR11N90ANG900V N-Channel MOSFET PIN Connection TO-3PFeatures: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge: Qg= 60nC (Typ.). BVDSS=900V,ID=11A RDS(on) : 1.1 (Max) @VG=10V 100% Avalanche TestedgSchematic dia ram D G S Marking DiagramY = YearA = Assembly Location

 8.1. Size:1805K  first semi
 fir11ns65afg.pdf

FIR11N90ANG FIR11N90ANG

FIR11NS65AFG11A, 650V DP MOS POWER TRANSISTOR-SPIN Connection TO-220FDESCRIPTION FIR11NS65AFG is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high G efficiency, high power density, and superior thermal behavior. D S

 8.2. Size:2550K  first semi
 fir11n40fg.pdf

FIR11N90ANG FIR11N90ANG

FIR11N40FG400V N-Channel MOSFET-GPIN Connection TO-220FFeatures: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge :Qg=27nC (Typ.). BVDSS=400V,ID=11AGDS RDS(on) : 0.4 (Max) @V =10VG 100% Avalanche TestedgSchematic dia ramDGSMarking DiagramY = YearA = Assembly Loc

 8.3. Size:2921K  first semi
 fir11ns70afg.pdf

FIR11N90ANG FIR11N90ANG

FIR11NS70AFG11A,700V DP MOS Power Transistor-SPIN Connection TO-220FDESCRIPTION FIR11NS70AFG is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silans DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power density, and superior thermal behavior. G

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top