Справочник MOSFET. FQP15P12

 

FQP15P12 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQP15P12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 120 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 38 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FQP15P12

 

 

FQP15P12 Datasheet (PDF)

1.1. fqp15p12.pdf Size:921K _fairchild_semi

FQP15P12
FQP15P12

August 2014 FQP15P12 / FQPF15P12 P-Channel QFET® MOSFET -120 V, -15 A, 0.2 Ω Description Features This P-Channel enhancement mode power MOSFET is • -15 A, -120 V, RDS(on) = 0.2 Ω (Max.) @ VGS=-10 V, ID = -7.5 A produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary • Low Gate Charge (Typ. 29 nC) planar stripe and DMOS technology. This advanced • Low Crss (Typ. 110 pF) M

1.2. fqp15p12 fqpf15p12.pdf Size:852K _fairchild_semi

FQP15P12
FQP15P12

QFET FQP15P12/FQPF15P12 120V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -15A, -120V, RDS(on) = 0.2? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast sw

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top