Справочник MOSFET. P1306ED

 

P1306ED Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1306ED
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 396 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для P1306ED

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1306ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  niko-sem
 p1306ed.pdf pdf_icon

P1306ED

P-Channel Enhancement Mode P1306ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 13.5m -48A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =

 8.1. Size:352K  niko-sem
 p1306ek.pdf pdf_icon

P1306ED

P-Channel Logic Level Enhancement Mode P1306EK NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 13.5m -43A DD D D DG. GATE D. DRAIN S. SOURCE G100% UIS Tested 100% Rg Tested #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS

 9.1. Size:171K  motorola
 mtp1306rev0.pdf pdf_icon

P1306ED

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1306/DAdvance InformationMTP1306HDTMOS E-FET.High Density Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced highcell density HDTMOS power FET is75 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta-30 VOLTStion modes. This new energy efficient design al

 9.2. Size:176K  motorola
 mtp1306.pdf pdf_icon

P1306ED

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1306/DAdvance InformationMTP1306HDTMOS E-FET.High Density Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced highcell density HDTMOS power FET is75 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta-30 VOLTStion modes. This new energy efficient design al

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P1050ETF , P1060ETFNA , P1065ETF , P1120EF , P1160JD , P1160JF , P1165JD , P1165JFN , STP80NF70 , P1306EK , P1350ETF , P1406BV , P1410BD , P1410BK , P1560JD , P1560JF , P1610AK .

History: NX7002BK | IPT026N10N5 | AOI1N60

 

 
Back to Top

 


 
.