Справочник MOSFET. P1306ED

 

P1306ED MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P1306ED
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 396 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для P1306ED

 

 

P1306ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  niko-sem
 p1306ed.pdf

P1306ED P1306ED

P-Channel Enhancement Mode P1306ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 13.5m -48A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =

 8.1. Size:352K  niko-sem
 p1306ek.pdf

P1306ED P1306ED

P-Channel Logic Level Enhancement Mode P1306EK NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 13.5m -43A DD D D DG. GATE D. DRAIN S. SOURCE G100% UIS Tested 100% Rg Tested #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS

 9.1. Size:171K  motorola
 mtp1306rev0.pdf

P1306ED P1306ED

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1306/DAdvance InformationMTP1306HDTMOS E-FET.High Density Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced highcell density HDTMOS power FET is75 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta-30 VOLTStion modes. This new energy efficient design al

 9.2. Size:176K  motorola
 mtp1306.pdf

P1306ED P1306ED

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1306/DAdvance InformationMTP1306HDTMOS E-FET.High Density Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced highcell density HDTMOS power FET is75 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta-30 VOLTStion modes. This new energy efficient design al

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top