FQP85N06 - описание и поиск аналогов

 

FQP85N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQP85N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FQP85N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP85N06 даташит

 ..1. Size:647K  fairchild semi
 fqp85n06.pdf pdf_icon

FQP85N06

May 2001 TM QFET FQP85N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 85A, 60V, RDS(on) = 0.010 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 86 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 165 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:788K  onsemi
 fqp85n06.pdf pdf_icon

FQP85N06

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FQP6N80C , FQD4P25TMWS , FQP6N90C , FQP70N10 , FCP20N60 , FQP7N80C , FCA20N60 , FQP7P06 , IRF3205 , FQP8N80C , FCPF11N60T , FQP8N90C , FQP8P10 , FQP9N30 , FQP9N90C , FQP9P25 , FQPF10N20C .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.