Справочник MOSFET. PV521BA

 

PV521BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PV521BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для PV521BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV521BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  niko-sem
 pv521ba.pdf pdf_icon

PV521BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV521BA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 20m -8.5A -20V GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие MOSFET... PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , 2SK3878 , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA , PV6A6BA .

History: ZXMP6A18DN8

 

 
Back to Top

 


 
.