PV521BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PV521BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для PV521BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV521BA даташит

 ..1. Size:272K  niko-sem
 pv521ba.pdf pdf_icon

PV521BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV521BA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m -8.5A -20V G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие IGBT... PQ6S2JN, PQ6V2JN, PQ6X6JN, PR802BA33, PR812BA33, PT5B9BA, PT676BA, PT6J6BA, 8205A, PV555BA, PV561BA, PV563BA, PV5G3EA, PV609CA, PV616DA, PV6A4BA, PV6A6BA