PV521BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PV521BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для PV521BA
PV521BA Datasheet (PDF)
pv521ba.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV521BA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 20m -8.5A -20V GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.
Другие MOSFET... PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , IRF630 , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA , PV6A6BA .
History: PR812BA33 | TSM2301CX | VBZE30N03 | NTMS4801NR2G | TSM2302CX | PT676BA | MTH5N100
History: PR812BA33 | TSM2301CX | VBZE30N03 | NTMS4801NR2G | TSM2302CX | PT676BA | MTH5N100



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor