SJMN600R60D - аналоги и даташиты транзистора

 

SJMN600R60D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SJMN600R60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SJMN600R60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN600R60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  auk
 sjmn600r60d.pdf pdf_icon

SJMN600R60D

SJMN600R60D Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-252 SJMN600R60D SJMN600R60

 4.1. Size:778K  auk
 sjmn600r60f.pdf pdf_icon

SJMN600R60D

SJMN600R60F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN600R60F N600R60 T

 5.1. Size:732K  auk
 sjmn600r65cd.pdf pdf_icon

SJMN600R60D

SJMN600R65CD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on)D Ultra low gate charge: Qg=12nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SJMN6

 5.2. Size:586K  auk
 sjmn600r65b.pdf pdf_icon

SJMN600R60D

SJMN600R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN600R65B S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SJMN380R65MF , SJMN380R65ZD , SJMN380R65ZF , SJMN380R70B , SJMN380R70D , SJMN380R70F , SJMN380R80ZB , SJMN380R80ZFD , 20N60 , SJMN600R60F , SJMN600R65B , SJMN600R65CD , SJMN600R65CF , SJMN600R65D , SJMN600R65F , SJMN600R70D , SJMN600R70I .

History: CTD03P7P5 | CTD03N003 | IRFS640B | SI7772DP | NCE70T180 | IRFS614B

 

 
Back to Top

 


 
.