Справочник MOSFET. SJMN600R60D

 

SJMN600R60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SJMN600R60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN600R60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  auk
 sjmn600r60d.pdf pdf_icon

SJMN600R60D

SJMN600R60D Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-252 SJMN600R60D SJMN600R60

 4.1. Size:778K  auk
 sjmn600r60f.pdf pdf_icon

SJMN600R60D

SJMN600R60F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN600R60F N600R60 T

 5.1. Size:732K  auk
 sjmn600r65cd.pdf pdf_icon

SJMN600R60D

SJMN600R65CD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on)D Ultra low gate charge: Qg=12nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SJMN6

 5.2. Size:586K  auk
 sjmn600r65b.pdf pdf_icon

SJMN600R60D

SJMN600R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN600R65B S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WMM120P06TS | SI7913DN | STW13N60M2 | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.