AOCR35101E - аналоги и даташиты транзистора

 

AOCR35101E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOCR35101E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10000 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00115 Ohm
   Тип корпуса: CSP3.2X1.95-10L
 

 Аналог (замена) для AOCR35101E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOCR35101E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:590K  aosemi
 aocr35101e.pdf pdf_icon

AOCR35101E

AOCR35101E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.1. Size:758K  aosemi
 aocr33105e.pdf pdf_icon

AOCR35101E

AOCR33105E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.2. Size:670K  aosemi
 aocr32326.pdf pdf_icon

AOCR35101E

AOCR3232630V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:670K  aosemi
 aocr36330.pdf pdf_icon

AOCR35101E

AOCR3633030V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SUN50A20CI , SUN82A20CI , SUN830D , SUN830DN , SUN830F , SUN830I , QM1830M3 , AOCR33105E , AON6380 , AOCR36330 , AOCR32326 , AOCA32112E , AOCA32116E , AOCA24108E , AOCA32106E , AOCA72114 , AOCA32301 .

 

 
Back to Top

 


 
.