AOCA36102E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOCA36102E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 22 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3800 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: DFN3.40X1.96-10L

Аналог (замена) для AOCA36102E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOCA36102E даташит

 ..1. Size:551K  aosemi
aoca36102e.pdfpdf_icon

AOCA36102E

AOCA36102E 22V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET Technology 22V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 7.1. Size:592K  aosemi
aoca36116c.pdfpdf_icon

AOCA36102E

AOCA36116C 24V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET Technology 24V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.1. Size:590K  aosemi
aoca32112e.pdfpdf_icon

AOCA36102E

AOCA32112E 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.2. Size:732K  aosemi
aoca32317.pdfpdf_icon

AOCA36102E

AOCA32317 30V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONR66922, AONE38132, AONP36332, AONP36336, AONP36320, AONP38324, AONP36332U, AONP38324U, IRFP260N, AOC3878, AONG36322, AONU32320, AON7264C, AONH36328, AONH36334, AONR20334C, AONR20485