AOC3878. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOC3878

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: DFN3.55X1.77A-10L

Аналог (замена) для AOC3878

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOC3878 даташит

 ..1. Size:906K  aosemi
 aoc3878.pdf pdf_icon

AOC3878

AOC3878 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:799K  aosemi
 aoc3870a.pdf pdf_icon

AOC3878

AOC3870A 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.2. Size:793K  aosemi
 aoc3870c.pdf pdf_icon

AOC3878

AOC3870C 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.3. Size:432K  aosemi
 aoc3870.pdf pdf_icon

AOC3878

AOC3870 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONE38132, AONP36332, AONP36336, AONP36320, AONP38324, AONP36332U, AONP38324U, AOCA36102E, AO3400, AONG36322, AONU32320, AON7264C, AONH36328, AONH36334, AONR20334C, AONR20485, AONR21117