Справочник MOSFET. AONS30306

 

AONS30306 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS30306
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 302 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS30306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  aosemi
aons30306.pdfpdf_icon

AONS30306

AONS3030630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 302A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:405K  aosemi
aons30300.pdfpdf_icon

AONS30306

AONS3030030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 710A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:468K  aosemi
aons30302.pdfpdf_icon

AONS30306

AONS3030230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 480A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:405K  aosemi
aons34304c.pdfpdf_icon

AONS30306

AONS34304C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.