AONS66415. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS66415

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 515 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS66415

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66415 даташит

 ..1. Size:415K  aosemi
 aons66415.pdf pdf_icon

AONS66415

AONS66415 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 150A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:362K  aosemi
 aons66402t.pdf pdf_icon

AONS66415

AONS66402T TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:427K  aosemi
 aons66407.pdf pdf_icon

AONS66415

AONS66407 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 370A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.3. Size:414K  aosemi
 aons66408.pdf pdf_icon

AONS66415

AONS66408 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Very Low RDS(ON) Excellent gate charge x RDS(ON) product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS65625, AONS660A60, AONS660A70F, AONS66402T, AONS66405, AONS66405T, AONS66407, AONS66408, EMB04N03H, AONS66520, AONS66521, AONS66524, AONS66605, AONS66607, AONS66609, AONS66609T, AONS66612