Справочник MOSFET. AONS66607

 

AONS66607 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS66607
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS66607

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66607 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  aosemi
 aons66607.pdf pdf_icon

AONS66607

AONS6660760V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 75A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:412K  aosemi
 aons66609.pdf pdf_icon

AONS66607

AONS66609TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 304A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:440K  aosemi
 aons66605.pdf pdf_icon

AONS66607

AONS6660560V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:416K  aosemi
 aons66609t.pdf pdf_icon

AONS66607

AONS66609TTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 313A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS66405T , AONS66407 , AONS66408 , AONS66415 , AONS66520 , AONS66521 , AONS66524 , AONS66605 , AO4468 , AONS66609 , AONS66609T , AONS66612 , AONS66612T , AONS66613 , AONS66614 , AONS66615 , AONS66615T .

History: APT56F60L | SI8475EDB | IXFV110N10P | 4N65L-TQ2-T

 

 
Back to Top

 


 
.