AOSD26313C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOSD26313C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AOSD26313C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSD26313C даташит

 ..1. Size:687K  aosemi
 aosd26313c.pdf pdf_icon

AOSD26313C

AOSD26313C 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary P-Channel N-Channel Latest Advanced Trench Technology VDS= -30V VDS= 30V Low RDS(ON) ID=-5.7A (VGS=-10V) ID= 7A (VGS=10V) High Current Capability RDS(ON) RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant

 9.1. Size:367K  aosemi
 aosd21313c.pdf pdf_icon

AOSD26313C

AOSD21313C 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5.7A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.2. Size:315K  aosemi
 aosd21307.pdf pdf_icon

AOSD26313C

AOSD21307 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -9A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.3. Size:383K  aosemi
 aosd21311c.pdf pdf_icon

AOSD26313C

AOSD21311C 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOSN32128, AOSN32338C, AOSX21319C, AOSX32128, AO4264C, AOSD21307, AOSD21311C, AOSD21313C, 2SK3568, AOSD32334C, AOSD32338C, AOSP21321, AOSP32320C, AOSP36326C, AOSP62530, AOSP62626E, AOSP66919